SRAM Instance 技术负责人(FinFET Memory Lead)(J10342)
中茵微岗位职责:1、全面负责FinFET先进工艺节点(14nm/12nm/7nm)SRAM Instance定制业务的技术方向规划、整体项目推进、落地执行与最终交付质量管控,统筹把控项目全流程,确保产品完全匹配客户技术规格、既定流片进度及量产良率核心目标。 2、主导客户需求拆解、技术调研与规格定义工作,精准梳理SRAM产品核心参数,包含存储容量、位宽、工作频率、工作电压、高低温温度等级、全场景PVT工作条件、动态/静态功耗、芯片面积、Bank架构、IO端口配置、读写稳定性、可靠性等核心指标,输出完整可落地的技术实施方案与项目可行性… 岗位要求:1、本科及以上学历,微电子、集成电路、电子工程等相关专业,5年及以上FinFET先进工艺(14nm/12nm/7nm至少一种)SRAM设计、流片及量产实战经验。 2、精通6T/8T SRAM Bitcell架构原理,熟练掌握灵敏放大器、行列译码器、电平转换器、读写控制逻辑等SRAM完整电路架构的设计原理与优化方法。 3、深入理解FinFET工艺核心特性,精通…