存储设计工程师【27届校招】

1. 参与存储器芯片（SRAM / DRAM / NAND Flash / 新型存储器如 MRAM、RRAM）核心电路的设计与优化，包括存储阵列、灵敏放大器（Sense Amplifier）、行/列译码电路、字线/位线驱动、时序控制电路、电荷泵及基准电路等模块；

2. 使用 SPICE 类工具（Spectre / HSPICE / FineSim 等）完成电路的前仿真与后仿真，进行 PVT 角、蒙特卡洛（Monte Carlo）等分析，评估电路的速度、功耗、面积与良率；

3. 与版图工程师协同完成版图设计与验证（DRC / LVS / 寄生参数提取），关注匹配、串扰与 IR Drop 等版图相关问题；

4. 参与芯片流片后的硅验证（Silicon Validation）、测试调试及问题定位，输出分析报告并推动设计迭代；

5. 跟踪存储器技术前沿（先进工艺节点、3D 堆叠、存算一体等），参与新架构预研

★ 1. 2027 届应届毕业生，硕士及以上学历，微电子学与固体电子学、集成电路科学与工程、电子科学与技术、电子信息工程等相关专业；

★ 2. 扎实的半导体器件物理与 CMOS 模拟/数字电路基础，熟悉 MOS 管工作原理及基本放大器、比较器、锁存器等电路结构；

★ 3. 熟练使用 Cadence Virtuoso 及 Spectre / HSPICE 等仿真工具，具备独立完成电路设计与仿真的能力；

4. 了解 SRAM / DRAM / Flash 等存储器基本工作原理者优先；

5. 有存储器相关课题、流片经历或知名企业 IC 设计实习经历者优先；

6. 具备良好的分析问题与解决问题能力，工作严谨细致，有较强的学习能力与团队协作精神；

7. 具备良好的英文文献阅读能力