博士后研究员（外延方向）

1. 01

   负责LED外延整体结构设计、MQW多量子阱结构仿真与优化，结合电子空穴复合机理，针对性提升发光效率、波长均匀性、器件稳定性，解决外延层面效率衰减、漏电、良率偏低等核心技术问题；

2. 02

   主导MOCVD外延生长工艺研发、参数调试与迭代优化，熟练把控生长温度、压力、气源流量、生长速率等关键参数，建立标准化外延生长工艺体系，保障外延片品质一致性与可靠性；

3. 03

   深入研究LED半导体发光机理，掌握电子、空穴迁移与复合规律，结合器件光电性能反馈，反向优化缓冲层、量子阱、势垒层等结构设计，持续提升芯片光电性能指标；

4. 04

   负责外延工艺异常分析、失效机理定位与技术攻关，联动芯片、工艺、测试、可靠性团队完成问题闭环，推动新工艺、新结构从研发验证到量产落地；

5. 05

   优先开展高速率光通信外延工艺研发与量产优化工作，适配高速光通信激光器外延材料生长需求，优化外延层厚、组分、应力与缺陷控制，满足高速光芯片高带宽、低损耗、高稳定性生产要求；

6. 06

   负责技术文档撰写、实验数据沉淀、专利挖掘与技术成果汇总，跟进行业前沿外延技术动态，完成研发项目迭代与技术积累。

1. 01

   博士学位，材料科学与工程、半导体物理、微电子、光电工程、凝聚态物理等相关专业；

2. 02

   扎实掌握LED半导体基础理论，精通LED量子阱结构设计原理，深刻理解LED电子空穴复合、载流子迁移、发光损耗等核心机理；

3. 03

   熟练掌握MOCVD设备原理与外延生长工艺，具备完整的LED外延研发、实验调试、工艺优化实战经验，可独立完成结构设计与工艺迭代；

4. 04

   熟悉LED外延全流程技术逻辑，能够针对性解决波长偏移、亮度衰减、晶体缺陷、应力不均、片内均匀性差等常见技术问题。

招聘人数：1

岗位类别：研发技术类

工作地点：佛山市-禅城区