长鑫存储
器件研发(BJ)(J19640)
RESPONSIBILITIES
岗位职责
DRAM逻辑器件设计及工艺开发
DRAM核心区器件设计及优化
制程工艺TCAD仿真
HKMG器件工艺开发
先进DRAM可靠性评估与改进
REQUIREMENTS
任职要求
学历要求：硕士及以上，博士优先 专业要求：微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、微电子、计算机等理工科专业
其他要求
通过CET-6，具备良好的英文听说读写能力
有半导体存储相关课题研究或者相关专利经验佳
具备出色的学习能力、沟通技巧、抗压能力、勤奋精神和团队合作意识
信息来自企业官方招聘渠道
OfferSeek 对公开岗位信息进行聚合、去重和结构化整理，最终申请以企业官方页面为准。