2027届 研发类：器件设计工程师

1. 01

   负责功率器件IGBT和FRD的TCAD仿真；

2. 02

   负责IGBT和FRD的版图设计和DFMEA编制；

3. 03

   协助IGBT产品工程师优化工艺流程；

4. 04

   协助测试工程师评估IGBT和FRD产品的特性；

5. 05

   负责分析和定位IGBT和FRD的市场需求。

1、2027届毕业生，男女不限，本科/硕士学历；

2. 02

   微电子、集成电路设计等相关专业；

3. 03

   熟悉版图设计和器件仿真（TCAD）优先；

4. 04

   学习能力较强，具有创新精神，良好的团队合作能力。