宁德时代
芯片失效分析工程师
岗位职责
加速寿命试验与物理建模 • 设计并执行芯片加速寿命试验,建立算电协同物理模型进行寿命预测 • 基于试验数据识别关键失效机理,运用统计方法进行寿命分布拟合 • 探索先进检测技术在芯片压测中的应用可行性 • 参与芯片来料质量筛查与分级评估,为芯片准入提供可靠性数据支撑
失效物理分析 • 建立完整的失效分析闭环流程,实现从失效现象到根因的定位与复现 • 运用FA分析设备完成芯片级失效定位与机理识别 • 建立芯片退化参数与寿命之间的量化关系,为延寿策略提供依据
芯片寿命监测与管控策略 • 基于物理模型开发芯片在役寿命监测方案,实现芯片健康状态的可视化评估 • 制定芯片延寿策略(涵盖温度、电流、功耗管理等维度),推动实际部署与效果验证 • 与算力运营、散热管理等团队协作,将延寿方案融入集群日常运维
任职要求
微电子、半导体物理、材料科学、电子工程或相关专业本科及以上学历,博士优先
满足至少两项: • 熟悉JEDEC、AEC-Q等可靠性标准体系,具备加速寿命试验方案设计与执行经验 • 深入掌握半导体器件主要失效机理(EM、TDDB、HCI、NBTI、BTI、TMF、SM等),能独立完成失效模式分析 • 精通半导体器件物理基础,理解MOSFET/FinFET/GAA等先进工艺器件的结构与退化机制 • 具备可靠性统计建模与寿命预测能力(威布尔分布、Arrhenius方程、Black方程、Coffin-Manson模型、C-E模型等) • 熟悉芯片设计-制造-封装全流程,理解CP测试、FT测试、良率数据与可靠性的关联关系 • 掌握热力学、电迁移、应力迁移等与芯片寿命相关的物理机制,能构建多物理场耦合寿命模型 • 数据分析:熟练使用Python(SciPy/NumPy/Pandas)或JMP/Minitab/Reliasoft等工具进行可靠性数据处理与统计分析 3、3年以上芯片可靠性、失效分析或半导体器件物理相关工作经验,满足以下任一条件,优先考虑: • 有GPU芯片、AI加速芯片、存储芯片或服务器级芯片可靠性工作经验 • 熟悉芯片级热仿真(ANSYS/COMSOL/Icepak)、应力仿真或电磁仿真工具 • 了解先进封装(2.5D/3D、CoWoS、FOWLP、SiP等)工艺及其特有的可靠性问题 • 熟悉AI数据中心场景下的芯片工作负载特征(功耗波动、温度循环、电流密度分布等) • 精通失效分析设备操作(SEM/EDX/X-ray/OBIRCH/Thermal imaging/Laser decapsulation等) • 有芯片设计公司、EDA工具公司或第三方可靠性实验室工作经验 • 参与过行业标准制定(JEDEC、ODCC、OpenCompute等),或有专利/论文发表经历 • 了解液冷/风冷散热方案及其对芯片温度和可靠性的影响 4、良好的英文文献阅读与技术报告撰写能力,能独立查阅和理解国际可靠性领域前沿论文与标准
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