器件工程师（校招）

针对碳化硅SBD，MOSFET和氮化镓HEMT功率器件进行TCAD仿真和版图的绘制。

能够独立完成产品设计研发和产品封装测试以及问题的解决和相关设计测试文档记录。

撰写研发过程中涉及的相应技术的专利，维护产品研发过程中的技术保护，挖掘研发测试产品过程中的专利技术，对接专利代理。

Spice模型平台的搭建，根据公司产品型号建立软件模型，使用仿真软件对不同产品仿真，验证模型精准性。

具有SiC、GaN功率器件设计开发经验的优先。

撰写研发过程中涉及的相应技术的专利，维护产品研发过程中的技术保护，挖掘研发测试产品过程中的专利技术，对接专利代理。

硕士及以上学历，微电子学与固体电子学、集成电路工程、电子科学与技术等相关专业优先；

扎实掌握半导体物理、器件物理、半导体工艺等专业知识，深入理解功率 MOSFET 器件工作原理；

对技术和产品的设计、生产、可靠性有良好的认知和分析能力；

有 SiC MOSFET、硅基 MOSFET、IGBT 等功率器件相关课题研究或项目开发经验者优先；

使用相关表征测试仪器，负责产品、半成品或原材料的表征和测试。

掌握半导体相关仿真软件。

掌握基础电路仿真和版图设计软件。