光刻工艺专家-Lithography Process Expert(J21464)

光刻工艺开发与窗口构建： 主导前段fab后端黄光制程（涵盖浸没式、KrF、i-line光刻）的开发与验证，结合3D堆叠结构需求，制定满足关键尺寸、套刻精度及缺陷控制要求的工艺方案；

DOE设计与参数优化： 主导光刻工艺DOE实验设计，系统分析曝光剂量、焦距、掩模对准及显影条件等关键参数对图形质量的影响，确定并固化可量产复现的工艺窗口；

异常分析与良率提升： 主导光刻制程中的异常排查与缺陷改善，协同整合团队定位失效根因，推动工艺优化与预防措施落地，持续提升产品良率；

设备评估与产能建设： 主导ASML、Canon等浸没式及干法光刻设备的功能评估、厂验收与工艺调试，建立设备验收标准与产能基线，保障产能快速释放与稳定运行；

技术沉淀与标准化： 主导光刻工艺参数标准化与操作规范建设，迭代更新标准作业流程与失效经验库，沉淀光刻工艺专长，提升团队整体技术能力。

教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子/物理/光学/材料等专业，具备扎实的光刻工艺原理与光化学知识基础；

专业技能与资格：能使用ASML、Canon等浸没式、KrF及i-line光刻设备完成工艺参数开发与优化，具备DOE实验设计与数据分析能力，能阅读英文技术文献与设备手册；

行业与专业经验：10年以上前段fab后端黄光制程经验，有3D堆叠或封装光刻工艺开发经历者优先；

项目/任务成果：主导或作为核心成员完成至少2个光刻工艺开发或良率改善项目，具备工艺窗口构建与良率提什的量化交付案例；

其他要求：具有系统性分析与跨部门协作能力，能主动推动技术风险闭环，工作严谨细致，具备自驱学习与技术创新意识。