主管射频/毫米波芯片设计工程师/经理

负责射频/毫米波芯片项目的整体技术方案制定和研发实施，组织完成系统指标分解、架构设计及关键技术路线规划，确保产品性能、功耗、面积、可靠性及量产可行性满足产品目标。

主导射频/毫米波集成电路（RFIC/MMIC）的架构设计、电路设计及关键模块研发，包括但不限于低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）、混频器（Mixer）、压控振荡器（VCO）、倍频器（Frequency Multiplier）、移相器（Phase Shifter）、收发前端（T/R Front-end）、频率综合器（Frequency Synthesizer）、射频收发机（Transceiver）等核心模块，并负责关键性能指标优化和技术攻关。

负责芯片设计全流程技术把控，组织完成版图设计、寄生参数提取、版图后仿真及电磁（EM）协同优化，指导解决流片、测试及量产过程中出现的复杂技术问题，确保项目按计划交付。

主导芯片测试与验证方案制定，组织完成芯片调试、性能评估、失效分析及设计迭代，推动产品从样片验证、工程优化到规模量产的顺利导入。

作为项目核心技术负责人，协调系统、数字、算法、版图、封装、测试及产品团队开展跨部门协同，推动研发计划执行，识别并解决项目关键风险，保障研发质量、进度及交付目标。

持续跟踪射频及毫米波集成电路领域的国际前沿技术，组织关键技术攻关和技术预研，推动核心技术积累，形成自主知识产权及行业领先的技术竞争优势。

建立和完善射频设计流程、设计规范及技术平台，推动EDA流程优化、设计方法沉淀及研发效率提升，不断提高团队研发能力

指导和培养射频设计工程师，组织技术评审、设计Review及经验分享，提升团队整体技术水平，营造积极开放的技术创新氛围;

完成上级布置的其他任务。

微电子、集成电路、电子工程等相关专业硕士及以上学历，博士优先。具有5年以上RFIC设计经验，有毫米波芯片研发经验优先。

扎实掌握模拟与射频集成电路设计理论，熟悉CMOS、SiGe BiCMOS、RFSOI等工艺平台。具有多款射频芯片成功流片并完成测试验证经验。有55nm以下工艺量产测试经验优先。

精通一种或多种射频/毫米波核心电路设计，具备系统级架构设计及性能优化能力。

熟练使用行业主流芯片开发和电磁场仿真等EDA工具进行设计与仿真。熟悉射频版图设计规范及寄生提取、EM协同设计方法，具备Tape-out经验。

熟悉射频芯片测试方法及实验室测试流程，熟练使用网络分析仪、频谱分析仪、信号源、示波器、Load Pull系统及毫米波测试平台，具备芯片调试、失效分析及性能优化能力；熟悉封装、ESD、可靠性设计及量产导入流程者优先。

具有毫米波雷达、Wi-Fi、5G/6G、卫星通信、UWB、蓝牙等无线通信或智能感知芯片研发经验者优先；具有相控阵、波束赋形（Beamforming）、高速频率综合、宽带射频前端等研发经验者优先。

具备优秀的系统架构设计能力、复杂技术问题分析能力及工程实践能力，能够带领团队完成高复杂度射频芯片研发任务。

具备较强的项目管理能力和跨团队协同能力，能够统筹研发资源，推动项目高效执行并按期交付。具备良好的技术领导力和团队培养能力，能够指导中高级工程师成长，建立规范化设计流程和技术体系。

具有较强的创新意识和技术敏锐度，能够持续跟踪国际前沿技术方向，推动关键技术突破和产品持续创新。具备良好的英文文献阅读及技术交流能力，能够熟练阅读国际高水平论文、专利及技术文档； 工作地点：上海、南京、苏州