高级失效分析工程师

1. 01

   失效根因定位与机理分析 主导电子元器件、PCBA/芯片/模组级别的失效分析工作，针对研发、试产、量产及客诉阶段的失效样品，制定分析方案并执行根因调查。运用电气特性测试（示波器、SMU、曲线追踪仪）与物理分析手段（X-Ray、SEM/EDS、FIB、EMMI/OBIRCH、LIT等）锁定失效位置与模式，区分设计缺陷、工艺异常、物料问题或应用误用。

2. 02

   分析策略与方案设计 基于失效背景与电路原理，独立设计并执行故障隔离方案（Fault Isolation），包括但不限于TDR、Lock-in Thermography、OBIRCH、EMMI、纳米探针等先进手段。对复杂疑难失效进行DOE实验设计或仿真模拟，深入验证失效机理。

3. 03

   报告输出与改善推动 撰写专业失效分析报告（含8D报告），向内部研发、工艺、质量及客户端清晰呈现分析结论与改善建议。跟踪纠正与预防措施（CAPA）的落地有效性，推动设计优化、工艺改善或供应商质量提升，形成失效案例库与知识沉淀。

4. 04

   实验室能力建设与跨部门协作 参与失效分析实验室的能力规划、设备选型与流程标准化，开发和优化分析手法（如样品制备、去层、染色等）。与设计、工艺、封装、供应链及第三方实验室紧密协作，必要时对接供应商审核其FA报告的技术合理性。参与到项目中，在产品设计阶段从失效分析角度提出风险点和改善措施。

学历与经验 本科及以上学历，电子工程、微电子、材料科学、物理等相关专业。硕士优先。通常要求5年以上电子失效分析或硬件开发相关经验，其中至少2-3年独立主导复杂失效分析项目。芯片/半导体领域倾向于8年以上经验。 分析技术能力 电气失效分析：熟练操作示波器、DMM、SMU、参数分析仪，熟悉TDR、OBIRCH、EMMI、Lock-in Thermography等故障隔离技术。 物理/材料分析：熟悉X-Ray（2D/CT）、C-SAM、SEM/EDS、FIB、X-section、Decap、化学/等离子去层等样品制备与表征手段。 知识基础：理解模拟/数字电路原理，能读懂原理图与PCB Layout；熟悉半导体器件物理、封装工艺或PCBA制程者优先。 工具与标准 熟悉8D、5 Why、FTA、鱼骨图等质量分析方法。了解行业标准如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD、IPC等（视行业而定）。