博士后（先进存储芯片老化模型及DFR开发方向）(J14818)

负责构建先进CMOS 器件老化模型，建立"工艺角/波动—器件退化"的参数化映射；

协同可靠性与表征团队设计并分析加速应力测试，基于测试数据完成模型校准，形成"测试—模型"验证与迭代闭环；

开发 DFR (Design for Reliability)方法学：建立"可靠性目标设定—器件/模块级指标分解—可靠性裕度判据—验证策略"的方法框架，沉淀可靠性设计规则库；

开发 DFR 工具：将老化模型集成至模型/电路协同仿真，实现寿命预测与可靠性裕度自动分析，形成可复用 DFR 闭环流程；

输出DFR 规则库交付物等，完成论文、专利等博士后研究交付。

微电子、半导体物理、可靠性工程等相关专业，研究方向与 CMOS 器件老化或器件建模等相关；

精通半导体器件物理与 CMOS 可靠性机理，熟练掌握动力学建模、Weibull/Arrhenius/贝叶斯统计与加速试验建模方法；

熟练使用 TCAD/HSPICE 等仿真工具，有Aging model 或 TCAD 可靠性仿真经验，具备 CMOS 器件设计/工艺开发经验者优先；

发表过高水平学术论文，具有强烈的科研兴趣和创新精神，治学严谨，具备良好的团队协作与沟通表达能力。