博士后（三维堆叠器件源漏接触工艺方向）(J14814)

开展高深宽比重掺Si外延动力学机制研究：研究高深宽比沟槽内不同深度下重掺Si横向外延的厚度和掺杂浓度分布，实现厚度和掺杂三维分布的建模预测；

开展低温金属硅化物动力学研究：研究金属硅化物/硅界面的元素扩散行为及其对相变和生长的影响；

开展结构验证实验：搭建纳米尺度高深宽比深沟槽横向填充结构，完成结构验证实验；

撰写高水平学术论文（发表于Nature/Science子刊、IEEE顶刊等）、申请发明专利，按年度提交课题进展报告。

凝聚态物理、半导体物理、微电子或材料科学等相关专业；

在半导体集成电路等相关领域，以第一作者身份发表过高水准学术期刊论文（如Nature/Science子刊、ACS Nano、IEEE Transactions on Electron Devices等）或顶级会议论文（如VLSI、IEDM等）至少1篇；

具有外延生长、原位掺杂、金属硅化物等相关工艺经验者优先；

具有强烈的科研兴趣和创新精神，治学严谨，具备良好的团队协作与沟通表达能力。