三五族芯片设计工程师

O-band SOA外延与物理设计：负责1310nm波段半导体光放大器(SOA)的整体设计。基于AlGaInAs/InP材料体系进行多量子阱(MQWs)的能带工程设计，针对硅光前端PBSR(偏振分束旋转器)架构，极致优化单偏振(TE模)下的增益、噪声系数(NF)及饱和输出功率。

模场匹配与端面设计(SSC)：主导SOA到硅光波导的模场转换器(Spot-Size Converter)设计，确保极低的耦合损耗；设计端面抗反射结构(如倾斜波导、AR镀膜参数)，抑制谐振腔效应。

倒装焊(Flip-Chip)架构协同：针对高密度SOA阵列的2.5D/3D倒装封装工艺，完成P/N电极布局、散热通道(Thermal Vias)评估及应力分析，确保大阵列在高温下的增益稳定性与可靠性。

仿真验证与流片推进：负责有源器件的前端仿真与版图(GDS)绘制，与硅光无源团队紧密协作，对接晶圆厂(Foundry)完成PDK匹配、DRC验证，并主导测试方案与失效分析。

光电子、半导体物理、微电子等相关专业硕士及以上学历，3年以上III-V族有源光芯片(SOA、Laser)实际设计与流片经验。

材料与物理功底：深刻理解半导体物理与能带理论，熟练掌握AlGalnAs体系的组分设计、压/张应变(Strain Engineering)调节及载流子输运机制。

关键工艺认知：熟悉InP有源器件的流片工艺(外延生长、脊形刻蚀、钝化等)；具有倒装焊(Flip-Chip)、混合集成(Hybrid Integration)实际工程经验者拥有优先权。

仿真工具熟练：精通器件级仿真工具(如 Lumerical DEVICE/MODE,Crosslight APSYS,或 Synopsys RSoft等)。 具备系统级仿真经验，能熟练使用 VPlphotonics Design Suite等工具进行含 SOA的链路行为模型评估者优先。

具备敏锐的技术嗅觉和高度的责任心，能够适应快节奏的Tape-out周期。