资深失效分析工程师(J11558)

负责 DRAM / LPDDR 产品在研发、工程验证及量产阶段的eFA失效分析工作，定位失效原因并推动问题解决。

针对 ATE 测试、可靠性测试、客户退回及量产异常样品，开展电性失效分析和复测验证。

结合 ATE 测试数据、Fail Bitmap、测试 Pattern 及电性特征，分析 DRAM/LPDDR 常见失效模式。

协助测试开发、产品、工艺及质量团队处理量产测试异常、低良率及客诉问题。

使用 Python 或相关工具对测试数据、Fail Log 及失效数据进行统计分析和报告生成。

编写失效分析报告、技术总结及相关分析文档，持续完善失效分析流程。

电子工程、微电子、集成电路、电子信息、计算机或相关专业本科及以上学历。

5 年以上半导体失效分析、测试开发或产品工程经验，有 DRAM / LPDDR / Flash 等存储器产品经验者优先。

熟悉 DRAM/LPDDR 基本架构、工作原理及常见失效模式。

熟悉存储器测试流程及 JEDEC 相关标准，了解 ATE 测试数据、Fail Log 和 Fail Bitmap 的分析方法。

具备电性失效分析能力，能够独立完成失效复测、条件验证和问题定位。

熟悉 Advantest T55xx/T58xx、Teradyne 等 ATE 测试平台者优先。

掌握 C 语言或 Python，能够进行数据处理、自动化分析及测试报告生成，具有开创精神使用AI负责工作。

具备良好的逻辑分析能力、沟通能力和团队协作精神。