外延研发工程师

负责锑基化合物半导体材料研发，完成器件仿真与外延结构协同设计；

根据外延材料测试及下游器件反馈，进行外延工艺优化；

对MBE外延产品分析检测，数据分析，形成报告和技术文档；

完成上级安排的其他任务。

硬件条件：硕士及以上学历，材料科学与工程、微电子学与固体电子学、半导体物理、凝聚态物理、电子科学与技术、光学工程等相关专业；

专业技能： a、具备扎实的半导体光电子器件（如激光器、探测器、LED等）物理理论基础，熟悉器件工作原理及性能调控机制，能够基于器件性能需求，运用材料计算与模拟方法进行材料结构设计与优化，实现“器件需求→材料参数”的正向推演； b、熟练使用主流TCAD和光学仿真软件如Silvaco , Sentaurus, COMSOL等）进行器件与材料结构的预设计； c、深入掌握MBE外延技术原理，具备实际的工艺调试与设备操作项目经验，熟悉生长参数的调控逻辑； d、精通XRD、PL、AFM等材料表征手段，能够精准解读测试数据，建立“生长条件-材料特性”的关联模型，并据此反向迭代优化外延配方。

通用技能： a、具备较强的学习能力、逻辑分析能力和解决问题的能力； b、拥有良好的团队协作精神、沟通能力和严谨的科学态度； c、具备较强的创新意识和执行力，能够独立承担研发任务； d、良好的中英文文献阅读与技术文档撰写能力。