电路测试开发工程师-Circuit Test Development Engineer(J20136)

测试方法开发与体系构建：主导DRAM核心放大电路测试方法的开发，形成系统性的测试方法论；

Silicon验证与报告输出：主导DRAM研发产品核心放大电路的silicon验证，输出完整的验证报告；

新工艺产品协同开发：与设计人员协同，针对新工艺制程产品开发核心放大电路方案；

问题解决与改善闭环：主导DRAM核心放大电路相关问题的分析与解决，提出系统性改善方向并反馈至Design或Process部门。

教育背景与专业知识：硕士及以上学历，电子类/材料类/器件类等相关专业，具备半导体器件物理基础；

专业技能与资格：具有device/process/design/EFA背景经验者优先，具有DRAM测试相关工作经验者优先，熟悉使用Advantest T5xxx平台经验者优先；

其他要求：具有结构化的问题分析与解决能力，能主动深入探究技术问题并协同团队推动改善闭环。