2027校招TMR工艺工程师(J11652)

负责TMR隧道结MTJ膜堆、涡旋态磁畴薄膜工艺开发、参数调试与迭代优化，支撑高精度角度传感器、磁编码器产品性能落地，实现低磁滞、高线性、低噪声工艺指标。

主导磁控溅射薄膜沉积、超薄隔离层、复合自由层、SAF合成反铁磁层等核心膜系工艺开发，精准管控亚纳米级膜厚均匀性、界面质量，解决膜层缺陷、扩散、应力异常等工艺问题。

负责磁场退火、正交双轴退火、刻蚀、平坦化等TMR专属后段工艺优化，稳定涡旋磁畴结构，杜绝涡核钉扎、磁畴跳变、巴克豪森噪声等工艺诱发不良。

对接12寸/8寸晶圆产线，跟进TMR特殊工艺量产导入，制定工艺SOP、制程规范与良率管控方案，持续优化批次一致性、降低工艺离散度与量产不良率。

联动IC设计、测试、品控团队，定位芯片性能异常、参数漂移、可靠性失效等问题，完成工艺复盘、参数迭代与闭环优化，支撑工控低功耗传感芯片批量交付与头部客户项目导入。

材料科学、微电子、半导体物理、凝聚态物理、电子工程等相关专业，本科及以上学历，扎实掌握磁性薄膜与自旋电子器件基础原理。

熟悉TMR/MTJ器件结构与工艺流程，了解涡旋态磁畴、磁滞特性、薄膜界面调控核心逻辑，有磁传感器薄膜工艺开发经验优先。

熟练掌握磁控溅射、真空薄膜沉积、磁场退火、微纳刻蚀等微纳工艺设备与参数逻辑，具备工艺调试、问题分析与良率提升能力。