2027校招TMR设计工程师(J11651)

负责涡旋态TMR角度传感器、磁编码器芯片方案设计与产品迭代，对标ADI高端工业传感芯片，聚焦低功耗、低磁滞、高线性、低噪声核心性能优化。

独立完成磁传感模拟前端信号链设计，包含仪表放大器、斩波稳零、差分调理、基准源、LDO、高精度ADC等核心模块设计、仿真与优化。

针对工业4-20mA电流环、阀门定位器等工控场景，完成芯片超低功耗、温漂、角度误差、抗磁干扰等关键参数优化，适配严苛工业工况。

熟练使用Cadence、Spectre完成各类电路仿真验证，指导版图布局布线，把控降噪、数模隔离、器件匹配，保障芯片性能与批次一致性。

负责芯片流片、回片调试、性能标定、问题复盘与良率提升，跟进90nm先进工艺、12寸晶圆量产及TMR膜堆工艺迭代，支撑产品量产及客户项目导入。

微电子、集成电路、半导体等相关专业，硕士及以上学历，模拟电路功底扎实；

精通模拟信号链设计，熟悉噪声抑制、失调消除、温度补偿、环路稳定设计，掌握CMOS/HVT低功耗器件特性。

熟悉TMR磁传感原理，了解涡旋态磁畴、磁滞、巴克豪森噪声、交叉磁场干扰等核心特性。

具备完整IC流片、调试及量产经验，有工业低功耗传感器、角度编码器、4-20mA工控芯片开发经验者优先。

逻辑清晰、问题排查能力强，可独立承担核心模块及产品开发，具备良好跨团队协作能力。